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逻辑门电路的知识点归纳

  正向导通,反向截止,但是要注意的是从反向截止到正向导通的时间极其短,但是从正向导通到反向截止要经过反向恢复(电荷存储效应)的过程,这个过程实际上就是存储电荷消失的时间,也是结电容的放电时间。(所以可以用于防止反相电流过大的情况)

  BJT:主要分为截止区放大区以及饱和区,截止区的时候Ib=0相当于开关打开,断路,而饱和区的时候,Vce=0.2-0.3V开关闭合导通。在放大区工作的时候,基级输入理想的方波信号,它的集电极输出的波形的起始和平顶部分都会延迟一段时间,有延迟时间,上升时间存储时间以及下降时间

  MOS:开关输入信号在高低电平之间转换的时候,MOS要通过导通电阻对负载电容放电,输出电压变化滞后于输入电压的变化,而且他的导通电阻大,所以其开关特性较差。

  增强型的MOS管指的是输入到栅极的电压Vgs是大于零的,随着栅极输入电压Vgs的增大,电流Id 也在增大,载流子不断向栅极靠拢的过程;而耗尽型的MOS指的是栅极输入电压VGs从一开始的时候是小于零的,这时候的载流子都集中在栅极,然后VGs绝对值变大的过程中,Id变大,同时载流子不断减少的过程

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